Igazgató: Prof. BÁRSONY István DSc, H-1525 Budapest, Konkoly-Thege M. út 29-33, Tel.:+361-3922225, Fax:+361-3922226

MFA Nyári Iskola Középiskolásoknak

A jelentkezéssel kapcsolatos információk ITT.

BAJI Zsófia #01L - Atomi rétegleválasztás (ALD) személyes HONLAP
Témavezető: dr. BAJI Zsófia, Tel.:392-2614, Épület:29/B, Szoba:3, E-mail:baji@mfa.kfki.hu, GEarth:(KFKI_29B)

1. ábra. ZnO leválasztása atomi rétegleválasztással (ALD-vel).


A vékonyréteg leválasztási technológiák különleges, de az utóbbi években a mikroelektronikai iparban egyre jobban elterjedt módszere az atomi réteg leválasztás (ALD, Atomic Layer Deposition). A módszer lényege, hogy egy vákuumtérbe felváltva engedünk be reagenseket így azok csak a hordozó felületén találkozhatnak, ott reagálnak, és egy molekularéteg vastagságú filmet hoznak létre. A ciklusokat ismételve a film vastagsága és összetétele atomi pontossággal szabályozható. Az 1. ábrán a ZnO leválasztása látható.

ZnO leválasztásakor az első lépésben dietil-cinket "kemiszorbeáltatunk" a felületen, ezután nitrogénnel kiöblítjük a rektort, majd a harmadik lépésben vízpárát engedünk be. Egy újabb öblítéssel véget ér a ciklus, amelyik ideális esetben egyetlen monoréteg leválását eredményezi. A leválasztási ciklusok számával pontosan beállítható a réteg vastagsága és egy-egy más anyagból álló ciklussal a réteget adalékolni, ötvözni lehet. Különböző filmek egymásra építésével pedig multiréteg struktúrákat is létre lehet hozni.

A módszer speciális előnyei és alkalmazási területei:

  • pontosan szabályozható rétegvastagság

  • egyenletes és összefüggő rétegek

  • pontos adalékolás

  • egykristályos rétegek leválasztása

  • bonyolult, struktúrált felületek bevonása

  • mikroelektronika, félvezető gyártástechnológia

  • mikroelektromechanikai rendszerek

  • hőelvezető bevonatok

  • napelemek

  • optikai alkalmazások (szűrők, rácsok, antireflexiós rétegek, tükrök stb.)

  • kopásálló bevonatok

  • korrózióálló bevonatok



  • 2. ábra. Egykristályos ZnO réteg.



    2. ábra. ALD segítségével egyenletesen bevont struktúrák: mély árkok (balra) és pórusos szilícium (jobbra).






    A nyári iskola keretében ZnO és Al2O3 rétegeket választunk le és minősítünk többféle módszerrel.



    ELÉRHETŐSÉGEK:
    Témavezető: BAJI Zsófia, Tel.:392-2614, Bp. XII. Konkoly-Thege M. út 29-33, Épület:29/B, Szoba:3, E-mail:baji@mfa.kfki.hu, GEarth:(KFKI_29B)

    Utolsó frissítés: Tue, 05 May 2015 13:21:39 GMT, Számláló: